[发明专利]集成电路制造方法在审
| 申请号： | 201410610499.8 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105633018A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种集成电路制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在半导体衬底上形成氧化层；在第二区域上覆盖光刻胶；以光刻胶为掩膜去除第一区域的氧化层；去除第二区域的光刻胶；分别在第一区域形成第一集成电路、在第二区域的氧化层上形成电阻和电容。还提供了另外两种集成电路制造方法。本发明工艺简单，成本低，且更方便将第二区域的电阻和电容与第一区域集成电路相集成，同时不改变第一区域集成电路原有的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在半导体衬底上形成氧化层；在第二区域上覆盖光刻胶；以光刻胶为掩膜去除第一区域的氧化层；去除第二区域的光刻胶；分别在第一区域形成第一集成电路、在第二区域的氧化层上形成电阻和电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
