[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410612511.9 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105632929A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;尹海洲;李睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法。该方法包括：a.提供衬底(100)和鳍片(200)；b.在所述鳍片(200)两侧的衬底(100)上形成第一浅沟槽隔离(300)；c.形成栅极结构(400)覆盖所述鳍片(200)的中部；d.在所述栅极结构(400)两侧的第一浅沟槽隔离(300)上方形成第二浅沟槽隔离(310)；e.在所述鳍片(200)两端的部分分别形成源区、漏区。本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法，通过增强栅控能力的方法有效地抑制穿通电流，同时不影响器件的其他参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件制造方法，包括：a.提供衬底(100)，衬底(100)上具有鳍片(200)；b.在所述鳍片(200)两侧的衬底(100)上形成第一浅沟槽隔离(300)；c.形成栅极结构(400)覆盖所述鳍片(200)的中部；d.在所述栅极结构(400)两侧的第一浅沟槽隔离(300)上方形成第二浅沟槽隔离(310)；e.在所述鳍片(200)两端分别形成源区、漏区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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