[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410617923.1 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105633152B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李镇全;吕水烟;吴彦良 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一基底，该基底上具有一鳍状结构，一栅极结构，跨越于部分该鳍状结构上，其中该鳍状结构被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第一顶面，该鳍状结构未被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第二顶面，且该第一顶面高于该第二顶面，以及一间隙壁，覆盖部分该栅极结构的侧壁，该间隙壁包含有一内间隙壁以及一覆盖于该内间隙壁外表面的外间隙壁，其中该外间隙壁还直接接触该鳍状结构的第二顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 顶面 鳍状结构 栅极结构 间隙壁 半导体结构 覆盖 内间隙 基底 侧壁 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含有：/n基底，该基底上具有一鳍状结构；/n栅极结构，跨越于部分该鳍状结构上，其中该鳍状结构被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第一顶面，该鳍状结构未被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第二顶面，且该第一顶面高于该第二顶面；以及/n间隙壁，覆盖部分该栅极结构的侧壁，该间隙壁包含有一内间隙壁以及一覆盖于该内间隙壁外表面的外间隙壁，其中该外间隙壁还直接接触该鳍状结构的第二顶面。/n
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