[发明专利]Li2MgTi3O8系微波介质陶瓷Sn4+置换B位Ti4+提高Q值的方法

摘要

本发明公开了一种Li₂MgTi₃O₈系微波介质陶瓷Sn⁴⁺置换B位Ti⁴⁺提高Q值的方法，先将原料Li₂CO₃、MgO、TiO₂和SnO₂按Li₂Mg(Ti_1-xSn_x)₃O₈，其中0.02≤x≤0.25的化学式称量配料，再经球磨，烘干，过筛，于900℃预烧，合成主晶相；再经球磨、造粒、压制成型后于1060～1140℃烧结，制得微波介质陶瓷。本发明通过采用Sn⁴⁺离子取代B位部分Ti⁴⁺离子，成功地将Li₂MgTi₃O₈系微波介质陶瓷的品质因数提高至74,700GHz。

主权项

一种Li₂MgTi₃O₈系微波介质陶瓷Sn⁴⁺置换B位Ti⁴⁺提高Q值的方法，具有如下步骤： (1)将原料Li₂CO₃、MgO、TiO₂和SnO₂按Li₂Mg(Ti_1‑xSn_x)₃O₈，其中0.02≤x≤0.25的化学式称量配料； (2)将步骤(1)配制的原料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；再将球磨后的原料置于干燥箱中烘干，过40目筛，获得颗粒均匀的粉料； (3)将步骤(2)处理好的粉料在900℃下预烧3小时，并在此温度下保温4小时，合成主晶相； (4)将步骤(3)所得产物放入球磨罐中，加入去离子水，球磨6小时，烘干后外加石蜡作为粘合剂造粒，过80目筛后，采用粉末压片机压制成生坯； (5)将步骤(4)成型后的生坯于1060～1140℃烧结，保温2～6小时，制得Li₂Mg(Ti_1‑xSn_x)₃O₈，其中0.02≤x≤0.25微波介质陶瓷。