[发明专利]一种集成退磁采样器件的HVMOS及退磁采样电路有效
| 申请号： | 201410625126.8 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105655397B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈朝勇;李育超;丁增伟;刘玉芳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H05B37/02 |
| 代理公司： | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人： | 邵鋆 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成退磁采样器件的HVMOS，该HVMOS包括P衬底、N漂移区、N型掺杂漏极端、场氧化层、栅氧化层、P型阱源极端、场极板和栅极，场极板与漏极端通过两者之间的介质形成高压覆盖电容，本HVMOS提出的独立高压覆盖电容实现方式集成在HVMOS器件中不增加HVMOS器件面积，且该高压覆盖电容大小可调，该高压电容的使用不受到栅源电容、栅衬底电容的串联影响，不与传统高压漏栅电容并联，不受到漏栅之间密勒效应的影响，并且该高压覆盖电容可以作为退磁采样器件，减小HVMOS面积及芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 退磁 采样 器件 hvmos 电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成退磁采样器件的HVMOS，包括：P衬底、N漂移区、N型掺杂漏极端、场氧化层、栅氧化层、P型阱源极端、场极板及栅极，所述漏极与N漂移区构成上极板，其特征在于：所述场极板分为直条部分与弯头部分，所述直条部分包括直条部分栅极与直条部分场极板，所述弯头部分包括弯头部分栅极，所述直条部分栅极与直条部分场极板断开，使直条部分场极板不会覆盖到栅氧化层，弯头部分栅极与直条部分栅极断开，且将直条部分场极板与弯头部分栅极相连共同构成下极板；所述下极板与上极板通过两者之间的介质形成有高压覆盖电容。
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