[发明专利]基于切断反馈技术的存储单元电路在审
| 申请号： | 201410643493.0 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104409092A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 汪金辉;杨泽重;吕贵涛;侯立刚;宫娜 | 申请（专利权）人： | 无锡星融恒通科技有限公司;北京工业大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214101 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于切断反馈技术的存储单元电路，包括：两个反相器INV0和INV1，四个NMOS管M0、M1、M2、M4，一个PMOS管M3；NMOS管M0的栅极接WL信号，源极接BL信号，漏极接点P；NMOS管M1的栅极接点Q，源极接VVSS信号，漏极接点P；NMOS管M2的栅极接WWL信号，源极接点P，漏极接点Q；PMOS管M3的栅极接WWL信号，源极接点Q，漏极接点Q0；NMOS管M4的栅极接WWLb信号，源极接点Q0，漏极接点Q；反相器INV0的输入接点Q，输出接点Qb；反相器INV1的输入接点Qb，输出接点Q0。该电路具有保持能力强、读能力强、写能力强、减少漏电流和良好的抗工艺浮动，较低工作电压的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 切断 反馈 技术 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种基于切断反馈技术的存储单元电路，其特征在于，包括：两个反相器INV0和INV1，四个NMOS管M0、M1、M2、M4，一个PMOS管M3；NMOS管M0的栅极接WL信号，源极接BL信号，漏极接点P；NMOS管M1的栅极接点Q，源极接VVSS信号，漏极接点P；NMOS管M2的栅极接WWL信号，源极接点P，漏极接点Q；PMOS管M3的栅极接WWL信号，源极接点Q，漏极接点Q0；NMOS管M4的栅极接WWLb信号，源极接点Q0，漏极接点Q；反相器INV0的输入接点Q，输出接点Qb；反相器INV1的输入接点Qb，输出接点Q0；其中BL信号和WWL信号为列共享，WL信号、WWLb信号和VVSS信号为行共享；BL：位线；WWL：第一写字线；WL：字线；WWLb：第二写字线，其上信号与WWL信号相反；VVSS：虚拟地线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡星融恒通科技有限公司;北京工业大学，未经无锡星融恒通科技有限公司;北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410643493.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于FPGA的高速eMMC阵列控制器
- 下一篇：NAND存储器装置列充电
