[发明专利]驱动非易失性存储器装置的方法有效
申请号: | 201410643554.3 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN104637535B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 郭东勋;朴起台 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法,该方法包括步骤:通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移;然后,使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移;以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。 | ||
搜索关键词: | 驱动 非易失性存储器 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种驱动非易失性存储器装置的方法,包括步骤:通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压正向漂移;然后,使所述非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移;以及通过关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410643554.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。