[发明专利]一种近红外发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410648043.0 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104409600A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 叶辉;方旭;王哲玮;张诗雨 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近红外发光器件及其制备方法，本发明的近红外发光器件包括具有锗量子点的硅片以及位于所述硅片上的纳米柱阵列，所述的纳米柱由透明导电材料制备得到。通过如下步骤制备：(1)在硅片上依次形成透明导电薄膜、SiO2薄膜、多孔氧化铝薄膜；(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属；(3)去除多孔氧化铝薄膜，然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的透明导电薄膜和SiO2薄膜；(4)除去有保护膜覆盖的SiO2薄膜使保护膜与透明导电薄膜脱离，即在硅片上形成纳米柱阵列，进而得到近红外发光器件。本发明的近红外发光器件在硅片上设置纳米柱阵列，大大提高了发光效率，且制备工艺简单，成本低廉，易于实现商业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种近红外发光器件，其特征在于，包括具有锗量子点的硅片以及位于所述硅片上的纳米柱阵列，所述纳米柱阵列中的纳米柱阵列为透明导电材料制备得到，所述纳米柱的高度为50～500nm。
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