[发明专利]一种全包围栅结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种全包围栅结构的形成方法，用于制作FinFET器件，通过采用平面工艺分步形成栅介质、Fin及栅极，并使包围Fin的栅极下端与衬底相连而形成全包围栅结构。由于栅介质很薄，而栅极下端与衬底相连，因而使栅极仍能以全包围的形式从四面有效地控制沟道。因此，本发明在保证所需要的器件特性的同时，解决了现有技术存在的工艺复杂、成本高的问题。本发明方法简便，可与现有的集成电路平面工艺相兼容，具有成本低、易于实施等优点。

主权项

一种全包围栅结构的形成方法，用于制作FinFET器件，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一半导体衬底，在所述衬底上形成浅沟槽隔离和第一栅介质层；步骤二：对所述第一栅介质层进行图形化，并在所述浅沟槽隔离之间形成1至多个独立的第一栅介质；步骤三：生长单晶硅层，对所述单晶硅层进行图形化，并在所述第一栅介质之上形成Fin结构；步骤四：生长第二栅介质层，对所述第二栅介质层进行图形化，并形成包围所述Fin的第二栅介质，然后，暴露出所述第一栅介质两侧的所述衬底；步骤五：淀积多晶硅层，对所述多晶硅层进行图形化，并形成横跨及包围所述Fin的栅极，所述栅极的下端与所述第一栅介质两侧暴露的所述衬底相连，形成可对沟道进行四面控制的全包围栅结构。