[发明专利]一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒有效
申请号: | 201410654165.0 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104328485A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 娄中士;张颂越;孙毅;王彦君;由佰玲;崔敏;乔柳 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 韩敏 |
地址: | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明创造提供一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒,包括内筒、内筒筒罩、外筒、外筒筒罩和保温层;所述内筒包括内筒上部和内筒下部且两者相连接构成内筒;所述内筒套装在外筒内部,且与外筒连接;所述保温层置于由内筒和外筒连接后构成的腔体内部;所述内筒上部被内筒上部筒罩覆盖且紧密贴合,所述内筒下部被内筒下部筒罩覆盖且紧密贴合,所述外筒被外筒筒罩覆盖且紧密贴合。本发明创造具有的优点和积极效果是:本方案一方面可减少内筒下部对晶体的辐射热,增加内筒上部向外辐射和反射热量,加快结晶潜热释放,提高拉速,另一方面,减少热量吸收、降低导流筒外筒温度、增加晶体表面辐射散热,提高拉速,降低功耗,提高效率,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 直拉硅单晶 生长 速度 新型 导流 | ||
【主权项】:
一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒,其特征在于:包括内筒(1)、外筒(3)和保温层(5);所述内筒(1)包括内筒上部(11)和内筒下部(12)且内筒上部(11)和内筒下部(12)连接构成内筒(1);所述内筒(1)为套筒状结构且所述内筒(1)下端直径小于上端直径;所述外筒(3)为套筒状结构且所述外筒(3)下端直径小于上端直径;所述内筒(1)下端直径小于外筒(3)下端直径,所述内筒(1)上端直径小于外筒(3)上端直径;所述内筒(1)套装在外筒(3)内部,且内筒下部(12)与外筒(3)连接;所述保温层(5)置于由内筒(1)和外筒(3)连接后构成的腔体内部;所述内筒上部(11)材料为高辐射系数的镜面材料;所述内筒下部(12)材料为低辐射系数的非镜面材料;所述外筒(3)材料为低辐射系数的镜面材料。
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