[发明专利]嵌入式锗硅的形成方法在审
| 申请号： | 201410654446.6 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105633020A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了嵌入式锗硅的形成方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：衬底的第一区域上形成栅极；在栅极的两侧形成第一侧墙；在第一侧墙外侧形成第二侧墙；在第二侧墙两侧的源区和漏区上形成应力调节层，以及进行高温氧化过程，使得应力调节层中的原子至少部分地向应力调节层、第二侧墙以及第一侧墙下的衬底中移动，从而形成嵌入式应力调节层。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底的第一区域上形成栅极；在所述栅极的两侧形成第一侧墙；在所述第一侧墙外侧形成第二侧墙；在所述第二侧墙两侧的源区和漏区上形成应力调节层；以及进行高温氧化过程，使得所述应力调节层中的原子至少部分地向所述应力调节层、所述第二侧墙以及所述第一侧墙下的所述衬底中移动，从而形成嵌入式应力调节层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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