[发明专利]一种闪存器件及其编程方法

摘要

本发明提供一种闪存器件及编程方法，包括衬底，其为呈圆柱体结构，衬底的端部分别为源端和漏端；栅极包覆于衬底的中间部分，栅极与衬底之间设有第一绝缘层，其中，栅极包括并列的控制栅以及浮栅；接触线分别从两个端部引出，用于施加衬底电压。本发明闪存器件的编程方法利用背栅偏压协助的热电子产生机制，能够使漏端加上较低的电压，有效缩短分列栅浮栅闪存的关键尺寸，增加了闪存阵列的单元密度，即增加了闪存的存储容量和密度；本发明通过施加偏压来协助热电子的运动，提供足够的越过氧化层的能量来完成编译，提高闪存的编译效率，降低编译电流功耗。

主权项

1.一种闪存器件，其特征在于，包括：衬底，其为呈圆柱体结构，所述衬底包括中间部分以及位于中间部分两侧的两个端部，所述端部分别为源端和漏端；栅极，包覆于所述衬底的中间部分，所述栅极与所述衬底之间设有第一绝缘层；其中，所述栅极包括并列的控制栅以及浮栅，所述控制栅与所述浮栅之间形成有第二绝缘层；当所述闪存器件进行编程操作时，所述控制栅施加的电压值与所述闪存器件的阈值电压值相等，所述浮栅施加的电压值大于所述闪存器件的阈值电压值，所述漏端施加电压范围为3V～4V，所述衬底施加电压范围为5V～6V，从而使得在控制栅下方衬底区域感应出较薄沟道电子层，在浮栅下方衬底区域感应出较厚沟道电子层，衬底上的高电压加速较薄沟道电子层的电子，产生具有足够能量的热电子并在浮栅高电压作用下注入浮栅完成编译；接触线，分别从两个端部引出，用于施加衬底电压。