[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201410655794.5 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105304720A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 姜信铨;刘恩池;陈玉仙;吕雅茹;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，其包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极与漏极。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层位于栅绝缘层上且配置在栅极上方。源极与漏极配置在栅绝缘层上且分别与半导体层电性连接。源极与漏极分别位于不同的膜层。源极与半导体层之间具有第一接触阻抗，漏极与半导体层之间具有第二接触阻抗，且第一接触阻抗小于第二接触阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一半导体层，位于该栅绝缘层上且配置在该栅极上方；以及一源极与一漏极，配置在该栅绝缘层上且分别与该半导体层电性连接，其中，该源极与该漏极分别位于不同的膜层，该源极与该半导体层之间具有一第一接触阻抗，该漏极与该半导体层之间具有一第二接触阻抗，且该第一接触阻抗小于该第二接触阻抗。
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