[发明专利]NAND存储器装置列充电有效
| 申请号： | 201410658718.X | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104409089B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C7/02 | 分类号： | G11C7/02;G11C7/12;G11C16/04;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及NAND存储器装置列充电。NAND快闪存储器装置及方法的实施例认识到可通过在阵列的相邻列上维持源电压来减小有效列耦合电容。在阵列操作(读取、写入及编程)之前将所述列维持在经充电状态会减小电流浪涌并改善数据读取定时。装置及方法在预充电时且在阵列存取操作之后对所述阵列列进行充电。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 装置 充电 | ||
【主权项】：
一种操作存储器阵列的方法，其中所述存储器阵列包括多个位线，且其中所述位线中的每一者能够选择性地耦合至各自的存储器单元串，所述方法包括：将所述位线中的邻近位线充电到预定正电压，以作为在所述阵列的操作之前给所述存储器阵列加电的一部分；在所述位线中的未经选择的位线保持充电时，执行所述阵列的所述操作；以及在执行所述操作之后并且在所述阵列的后续操作之前，对所述位线中的经放电的位线重新进行充电。
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