[发明专利]用于带后硅可调寄存器电路的统计时序分析方法在审
| 申请号： | 201410663517.9 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105677932A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 曾璇;杨帆;朱恒亮;周海;杨运峰;周星宝 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于带后硅可调寄存器电路的统计时序分析方法。所述方法包括：主元压缩得到N个独立随机变量；生成稀疏网格配置点；计算每个配置点的最小时钟周期；计算最小时钟周期广义多项式混沌展开系数；计算带后硅可调寄存器电路的良率。本方法可行性高，能够在获得和现有方法相比拟的精度情况下，显著减少程序运行时间，可用于解决较大规模带后硅可调寄存器电路的统计时序分析问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 带后硅 可调 寄存器 电路 统计 时序 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种用于带后硅可调寄存器电路的统计时序分析方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1.主元压缩得到N个独立随机变量；步骤2.生成稀疏网格配置点；步骤3.计算每个配置点的最小时钟周期；步骤4.计算最小时钟周期广义多项式混沌展开系数；步骤5.计算带后硅可调寄存器电路的良率。
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