[发明专利]改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法在审
| 申请号： | 201410664594.6 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104409410A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 周建华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，包括在硅衬底中形成浅沟槽隔离，并且制造以浅沟槽隔离隔开的NMOS器件和/或PMOS器件。在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤包括依次执行的下述步骤：在硅衬底表面依次淀积垫层二氧化硅层和垫层氮化硅层；对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底中形成凹槽；在凹槽中填充二氧化硅并通过化学机械研磨对填充的二氧化硅进行平坦化处理以得到浅沟槽隔离主体；剥离垫层氮化硅层，并剥离垫层二氧化硅层；在整个硅片上沉积氮化硅层，接着对氮化硅层进行干法刻蚀以便在浅沟槽隔离主体侧壁上形成浅沟槽隔离侧墙。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 沟槽 隔离 边缘 sic 应力 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于包括：在硅衬底中形成浅沟槽隔离，并且制造以浅沟槽隔离隔开的NMOS器件和/或PMOS器件；其中，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤包括依次执行的下述步骤：在硅衬底表面依次淀积垫层二氧化硅层和垫层氮化硅层；对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底中形成凹槽；在凹槽中填充二氧化硅并通过化学机械研磨对填充的二氧化硅进行平坦化处理以得到浅沟槽隔离主体；剥离垫层氮化硅层，并剥离垫层二氧化硅层；在整个硅片上沉积氮化硅层，接着对氮化硅层进行干法刻蚀以便在浅沟槽隔离主体侧壁上形成浅沟槽隔离侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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