[发明专利]储存数据数值在存储单元的方法及存储器有效
| 申请号： | 201410665656.5 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105304128B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;王典彦 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种储存数据数值在存储单元的方法及存储器，数据数值包含一第一数据数值和一第二数据数值其中之一，第一数据数值和第二数据数值分别由第一及一第二可编程电阻值范围(programmable resistance ranges)所表示。此方法包括：在一写入周期(cycle)，应用具有一第一验证周期的一第一验证操作及具有一第一写入周期的一第一写入操作以储存第一数据数值在存储单元，或应用具有一第二验证周期的一第二验证操作及具有一第二写入周期的第二写入操作以储存第一数据数值在存储单元，第二验证周期长于第一验证周期，第二写入周期短于第一写入周期。写入周期是短于该第一写入周期及该第二验证周期之和。 | ||
| 搜索关键词： | 储存 数据 数值 存储 单元 方法 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种储存一数据数值在一存储单元(memory cell)的方法，该数据数值包含一第一数据数值和一第二数据数值其中之一，该第一数据数值和该第二数据数值分别由一第一及一第二可编程电阻值范围(programmable resistance ranges)所表示，该方法包括：在一写入周期(cycle)，应用具有一第一验证周期的一第一验证操作及具有一第一写入周期的一第一写入操作以储存该第一数据数值在该存储单元，或应用具有一第二验证周期的一第二验证操作及具有一第二写入周期的一第二写入操作以储存该第二数据数值在该存储单元，该第二验证周期长于该第一验证周期，该第二写入周期短于该第一写入周期；其中，该写入周期是短于该第一写入周期及该第二验证周期之和。
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