[发明专利]钼硅靶材的制造方法有效
| 申请号： | 201410667330.6 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105642899B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/12 | 分类号： | B22F3/12;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种钼硅靶材的制造方法，包括：提供钼粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；将所述钼硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钼硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钼硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。 | ||
| 搜索关键词： | 钼硅靶材 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钼硅靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供钼粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；所述钼粉的平均直径为2μm～8μm，所述硅粉的平均直径小于5μm；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；所述冷压工艺的具体参数为：冷等静压的温度为常温，冷等静压的压力大于等于150MPa，冷等静压的时间为10min～30min；将所述钼硅靶材坯料置于包套内，在常温下对所述包套进行抽真空，直至包套内的真空度达到2×10‑3Pa；所述包套内的真空度达到2×10‑3Pa后，将所述包套加热至250℃～500℃并保温3h～4h；利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；所述热等静压的压力为110MPa～160MPa；所述热等静压的升温速度为3℃/min～10℃/min；去除所述包套，得到钼硅靶材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料股份有限公司，未经宁波江丰电子材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410667330.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
