[发明专利]改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法在审
| 申请号： | 201410668058.3 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104409379A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;刘宇;李秀莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，包括依次执行下述步骤：第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150-200℃之间；第二步骤，用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；第三步骤，用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。根据本发明的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法通过增加后道烘烤而有效地改善了硅片背面晶圆热点测试的颜色异常情况，而且本发明可进一步通过控制Ag层的厚度来进一步有效改善颜色异常情况。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 硅片 背面 热点 测试 颜色 异常 方法 | ||
【主权项】：
一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在于包括依次执行下述步骤：第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150‑200℃之间；第二步骤，用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；第三步骤，用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
