[发明专利]一种用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法有效
| 申请号： | 201410669839.4 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104445986A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 唐明静;康彬;邓建国;袁泽锐;窦云巍;张羽;方攀 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 伍孝慈 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，将待镀碳的石英安瓿放置于管式炉中，将管式炉升温至镀碳温度并排出空气，然后通入乙炔作为碳源，在高温下乙炔裂解并在安瓿内壁沉积一层碳膜，最后对碳膜进行后处理。本发明所述方法可简化气路装置，不需要配置真空装置和排气管路，能显著提高镀碳效率，并且可满足各种尺寸和形状石英安瓿的镀碳要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 石英 安瓿 方法 | ||
【主权项】：
一种用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将待镀碳的石英安瓿放置于管式炉中先将待镀碳的石英安瓿置于石英套管内，接着将石英套管放入管式炉的镀碳温度区，再将供气装置的通气管的出气口置于石英安瓿内；(2)管式炉升温并排出空气先在常压下将管式炉升至900～1000℃，接着保持温度恒定并用供气装置向所述石英安瓿内通入纯度为99.99％以上的惰性气体排除石英安瓿内的空气；(3)通入碳源气体对石英安瓿进行镀碳将惰性气体的流量调整为30～70mL/min，然后用供气装置以流量为2～5mL/min的速率向石英安瓿内通入乙炔对石英安瓿进行镀碳，所述供气装置的通气管处于石英安瓿内一个固定位置时通入乙炔的时间为5～10分钟；(4)对镀碳的石英安瓿进行后处理镀碳结束后，关闭供气装置，取出管式炉内的石英套管并向石英套管内通入纯度为99.99％以上的惰性气体，使其在室温下冷却，即获得镀碳的石英安瓿。
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