[发明专利]具有窄读取间隙结构的多读取传感器在审
| 申请号： | 201410670221.X | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104658551A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 真岛秀树;芳田伸雄;服部正志;安田勉 | 申请（专利权）人： | HGST荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张焕生;谢丽娜 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 具有窄读取间隙结构的多读取传感器。在一个实施例中，磁头包括：定位在磁头的面向介质的表面处的下屏蔽层；定位在下屏蔽层上方的至少两个磁阻(MR)元件，每个MR元件沿元件高度方向从磁头的面向介质的表面延伸出去；定位在MR元件的每个的至少一个下层上方的沿元件高度方向离开磁头的面向介质的表面的一位置处的背布线层，其中背布线层构造为与MR元件电连通且构造为在读取操作其间从每个MR元件分别提取信号；和定位在MR元件上方的上屏蔽层，该上屏蔽层构造为与MR元件电连通。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 读取 间隙 结构 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁头，包括：下屏蔽层，定位在所述磁头的面向介质的表面处；至少两个磁阻(MR)元件，定位在所述下屏蔽层的上方，每个MR元件沿元件高度方向从所述磁头的面向介质的表面延伸出去；背布线层，定位在所述MR元件的每个的至少一个下层的上方的沿所述元件高度方向离开所述磁头的面向介质的表面的一位置处，其中所述背布线层被构造为与所述MR元件电连通且构造为在读取操作其间从每个MR元件分别地提取信号；和上屏蔽层，定位在所述MR元件的上方，所述上屏蔽层被构造为与所述MR元件电连通。
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