[发明专利]氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法。以提高氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜(FTO)的电导率。以SnCl₂·2H₂O，NH₄F为起始原料配置成溶胶后，通过将溶胶搅拌蒸发制成干凝胶，再溶解成溶胶的过程去除Cl^-；同时先在玻璃基底旋涂一层SiO₂，阻止玻璃中的Na⁺，Ca⁺等杂质离子进入FTO薄膜；结合在氮气中退火等综合方法，进一步提高薄膜的导电性能。

主权项

一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)称取适量的SnCl₂·2H₂O，溶于无水乙醇中，在60‑80℃下，持续剧烈搅拌，搅拌过程中加入适量的去离子水，形成溶胶，冷却至室温，再加入适量的无水乙醇，继续搅拌20‑30min，加入乙酸调节溶液的PH，加入NH₄F水溶液，继续搅拌90‑100min，形成透明的锡氟溶胶；2)取适量的正硅酸乙酯缓慢滴入无水乙醇中，搅拌10‑15分钟，再滴加适量的去离子水，调节溶液的PH，室温下搅拌1‑2小时，静置，形成SiO₂溶胶；3)于载体上，依次旋涂SiO₂溶胶和锡氟溶胶后，先在100‑120℃下烘干，然后再放入450‑550℃的马弗炉中热处理10‑15min，最后进行退火处理，得氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜。