[发明专利]闪存结构、存储阵列及其编程、擦除和读取方法在审
| 申请号： | 201410681725.1 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505120A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑;肖军;李冰寒;江红;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存结构、存储阵列及编程擦除和读取方法，所述闪存包括：半导体衬底、位线结构、字线结构、浮栅结构和控制栅结构；所述半导体衬底内部具有掺杂阱，所述掺杂阱形成源极和漏极；所述位线结构包括位线结构一和位线结构二，分别连接漏极和源极；所述字线结构位于所述位线结构一和位线结构二之间；所述浮栅结构包括浮栅结构一和浮栅结构二，分别位于所述字线结构和所述位线结构之间；所述控制栅结构包括控制栅结构一和控制栅结构二，分别位于所述浮栅结构的表面；所述位线结构、字线结构和浮栅结构均位于所述半导体衬底的表面。本发明能够减小存储器面积，提高存储器编程速度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 存储 阵列 及其 编程 擦除 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存结构，其特征在于，包括：半导体衬底、位线结构、字线结构、浮栅结构和控制栅结构；所述半导体衬底内部具有掺杂阱，所述掺杂阱形成源极和漏极；所述位线结构包括位线结构一和位线结构二，分别连接漏极和源极；所述字线结构位于所述位线结构一和位线结构二之间；所述浮栅结构包括浮栅结构一和浮栅结构二，分别位于所述字线结构和所述位线结构之间；所述控制栅结构包括控制栅结构一和控制栅结构二，分别位于所述浮栅结构的表面；所述位线结构、字线结构和浮栅结构均位于所述半导体衬底的表面。
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