[发明专利]曝光方法和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410682296.X | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104407503A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种曝光方法和半导体器件的制造方法，所述曝光方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。根据本申请的实施例，在光刻胶表面沉积介质层，能够防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种曝光方法，所述方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。
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