[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 201410682872.0 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN104979241A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 南承庆 | 申请(专利权)人: | PSK有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜燕;王卫忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置包括:工序腔室;及排气单元,其具有连接于工序腔室的排气管线及设置于排气管线并调节工序腔室内的压力的泵。而且,排气管线由高速配管及多个低速配管构成。本发明还提供一种基板处理方法,该方法将工序腔室内部减压至工序压力以对基板进行处理,该减压在使工序腔室内部达到设定压力之前关闭高速阀,打开低速阀中选择的低速阀;达到设定压力后,关闭该低速阀中选择的低速阀,打开高速阀。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,该基板处理装置包括:工序腔室;以及排气单元,该排气单元具有连接于所述工序腔室的排气管线及设置于所述排气管线并调节所述工序腔室内的压力的泵;所述排气管线包括:高速配管,所述高速配管设置有对流体通路内部进行开闭的高速阀;以及与所述高速配管连接的多个低速配管,所述低速配管具有小于所述高速配管的直径,且所述低速配管设置有针对其内部进行开闭的低速阀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造