[发明专利]检测封装基板钻头和控深精度的装置及方法有效
申请号: | 201410688013.2 | 申请日: | 2014-11-25 |
公开(公告)号: | CN105702594B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 闵秀红;刘小根;孙键;罗亿龙;陈于春 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/304;G01B11/02;G01B11/22 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 徐翀 |
地址: | 518053 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种检测封装基板钻头和控深精度的装置,用于解决现有技术中检测钻孔和控深精度时所存在的问题。所述封装基板钻头上设置有定位环,所述装置包括:上支架,下支架和底座;所述上支架设置有冲压机构,L形架和图像传感器CCD系统;所述下支架设置有调节机构和U形架,所述调节机构位于所述U形架的底部;所述底座上设置有启动开关,所述L形架和所述U形架固定在所述底座上。本发明实施例还提供对应的检测封装基板钻头和控深精度的方法。 | ||
搜索关键词: | 检测 封装 钻头 精度 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种检测封装基板钻头和控深精度的装置,所述封装基板钻头上设置有定位环,其特征在于,包括:上支架,下支架和底座;所述上支架设置有冲压机构,L形架和图像传感器CCD系统;所述下支架设置有调节机构和U形架,所述调节机构位于所述U形架的底部;所述底座上设置有启动开关,所述L形架和所述U形架固定在所述底座上;所述冲压机构包括冲压气缸和冲压压套;所述冲压气缸驱动所述封装基板钻头上的定位环下压,所述冲压气缸的进气口和出气口分别设置有精密调压阀,所述精密调压阀控制所述冲压气缸的上升速度或下降速度;所述冲压压套的上部为螺旋口,所述冲压压套的上部与所述冲压气缸的导柱连接;所述冲压压套的下部为中部空心的圆柱,所述空心的内径大于所述封装基板钻头的外径,小于所述定位环的外径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深南电路有限公司,未经深南电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410688013.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多工作台或多腔体检测系统
- 下一篇:用于软电子电离的离子源和有关系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造