[发明专利]一种硅片冗余图形填充方法及产品在审
| 申请号： | 201410693133.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409445A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片冗余图形填充方法，根据距离硅片上有效电路的距离远近，将冗余图形填充区域分成n个区；设定n个冗余图形填充区域的填充密度值，原则是，距离有效电路越近的区域填充密度值越小，距离有效电路越远的区域填充密度值越大。通过对距离有效电路远近不一的区域设定不同的填充密度值，不仅减小了冗余图形对于有效电路的影响，而且还保证了芯片内密度的良好均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 冗余 图形 填充 方法 产品 | ||
【主权项】：
一种硅片冗余图形填充方法，其特征在于包括：根据距离硅片上有效电路的距离远近，将冗余图形填充区域分成n个区；设定n个冗余图形填充区域的填充密度值，距离有效电路越近的区域填充密度值越小，距离有效电路越远的区域填充密度值越大。
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