[发明专利]嵌入式碳化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201410697251.X | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104392929A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式碳化硅的制备方法，包括：对形成有半导体器件的衬底进行刻蚀，形成凹槽；清洗凹槽表面；原位腐蚀凹槽表面；原子层沉积法在凹槽表面沉积籽晶层；原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；选择性外延沉积碳化硅，以形成嵌入式碳化硅。通过原子层沉积得到低缺陷和粗糙度良好的硅衬底表面，原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；得到晶格缺陷良好的SiC薄膜，有助于形成低位错缺陷的嵌入式SiC，可以在确保碳化硅薄膜低缺陷的前提下，提高NMOSFET器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，包括：对形成有半导体器件的衬底进行刻蚀，形成凹槽；清洗凹槽表面；原位腐蚀凹槽表面；原子层沉积法在凹槽表面沉积籽晶层；原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；选择性外延沉积碳化硅，以形成嵌入式碳化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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