[发明专利]光罩的制作方法有效
| 申请号： | 201410698161.2 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105700290B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 田明静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种光罩的制作方法，该方法将主图形和SRAF图形分离，通过调节曝光线宽线性度分别获得适合主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数，根据获得的主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数进行光刻，获得光罩所需图形。本发明降低了制程线性误差对图形规格的干扰，使得获得的图形更加接近所需规格。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光罩的制作方法，包括：/n将主图形和SRAF图形分离，单独进行各自线宽线性度参数的设置；/n获得与所述主图形相关的参考线宽线性度曲线和与所述SRAF图形相关的参考线宽线性度曲线；/n通过调节曝光线宽线性度分别获得主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数，其中，一方面，获得所述主图形的线宽线性度参数的方法包括：通过调节曝光线宽线性度对与所述主图形相关的所述参考线宽线性度曲线进行调整，选取参考线宽线性度曲线中线宽包含主图形线宽且曲线平坦的部分，获取这部分平坦的曲线所对应的参数作为所述主图形的线宽线性度参数；另一方面，获得所述SRAF图形的线宽线性度参数的方法包括：通过调节曝光线宽线性度对与所述SRAF图形相关的所述参考线宽线性度曲线进行调整，选取参考线宽线性度曲线中线宽包含SRAF图形线宽且符合SRAF图形线宽线性度曲线应有的倾斜度的部分，获取这部分曲线所对应的参数作为所述SRAF图形的线宽线性度参数；/n根据获得的主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数进行光刻，获得光罩所需图形。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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