[发明专利]一种FinFET虚拟图案的插入方法有效
| 申请号： | 201410705663.3 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105631081B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 樊强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FinFET虚拟图案的插入方法，所述方法包括：步骤S1：设计具有鳍片网格的虚拟叠层单元，所述虚拟叠层单元包括有源区虚拟图案，其中，有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上；步骤S2：定义尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案，鳍片虚拟边界层图案也具有位于标准鳍片网格上的特征；步骤S3：在图样设计鳍片边界中插入所述虚拟叠层单元；步骤S4：在版图中图样设计鳍片边界以外的空白区域连续的插入尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案，以形成鳍片网格连续一体的鳍片边界层区域，在所述一体的鳍片边界层区域中根据所述鳍片网格插入所述虚拟叠层单元，以使所述虚拟叠层单元中的有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上。所述方法使整个版图得到更加均一的鳍片网格。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 虚拟 图案 插入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET虚拟图案的插入方法，包括：步骤S1：设计具有鳍片网格的虚拟叠层单元，所述虚拟叠层单元包括有源区虚拟图案，其中，所述有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上；步骤S2：定义尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案，所述鳍片虚拟边界层图案具有位于所述鳍片网格上的特征；步骤S3：在图样设计鳍片边界中插入所述虚拟叠层单元；步骤S4：在版图中图样设计鳍片边界以外的空白区域连续的插入所述尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案，以形成鳍片网格连续一体的鳍片边界层区域，在所述一体的鳍片边界层区域中根据所述鳍片网格插入所述虚拟叠层单元，以使所述虚拟叠层单元中的有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上。
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