[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：激光部形成工序，在该工序中，在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在所述成活性层上形成的上部半导体层、以及在所述上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，在该工序中，由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与所述激光部的侧面接触，在与所述激光部接触的部分处具有凸部；湿蚀刻工序，在该工序中，通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将所述凸部去除，使所述化合物半导体层变平坦；以及在所述湿蚀刻工序之后将所述掩模去除，形成接触层的工序，该接触层将所述化合物半导体层和所述上部半导体层覆盖，通过所述湿蚀刻工序，在所述掩模下的所述上部半导体层形成(111)A面。