[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410710028.4 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN105702728B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;徐烨锋;唐波;王红丽;许静;李春龙;杨萌萌;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成第一半导体层，以及在第一半导体层上依次形成具有第一类型沟道材料的第二半导体层和具有第二类型沟道材料的第三半导体层的叠层；在叠层中形成第一刻蚀槽，并通过第一刻蚀槽去除部分第一半导体层，以形成第一空腔；填充第一刻蚀槽及第一空腔，以分别形成第一介质槽和第一埋层；在叠层中形成第二刻蚀槽，并通过第二刻蚀槽去除剩余的第一半导体层，以形成第二空腔；填充第二刻蚀槽及第二空腔，以分别形成第二介质槽和第二埋层；去除部分区域上的第三半导体层。本发明的方法形成了类SOI的双沟道，具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、且集成度高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底上形成第一半导体层，以及在第一半导体层上依次形成具有第一类型沟道材料的第二半导体层和具有第二类型沟道材料的第三半导体层的叠层；在叠层中形成第一刻蚀槽，并通过第一刻蚀槽去除部分第一半导体层，以形成第一空腔；填充第一刻蚀槽及第一空腔，以分别形成第一介质槽和第一埋层；在叠层中形成第二刻蚀槽，并通过第二刻蚀槽去除剩余的第一半导体层，以形成第二空腔；填充第二刻蚀槽及第二空腔，以分别形成第二介质槽和第二埋层，第一介质槽与第二介质槽首尾相接并构成隔离沟槽；去除部分区域上的第三半导体层，以形成第一类型器件区域和第二类型器件区域。
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