[发明专利]一种半导体接触孔的刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种采用三明治结构的半导体接触孔的刻蚀方法。包括提供一基底，基底上形成有多个导电结构；于基底上形成一覆盖基底和导电结构的第一SiN层；于第一SiN层上方形成SiO₂层；于SiO₂层上方形成第二SiN层；于第二SiN层上方沉积形成一SiO₂的ILD层；平坦化ILD层，并于ILD层表面形成ILD cap层；ILD cap层从上而下依次包括有光刻胶层和抗反射涂层，于光刻胶层中刻蚀形成接触孔图案；八、利用接触孔图案进行刻蚀，以将各导电结构及位于导电结构两侧的源/漏极予以外露。本发明的优点是：避免采用采用的单一介质的SiN或者双层介质，使得基底表面的硅氧化物和STI层损耗数量减少。

主权项

一种半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、提供一基底，所述基底上形成有多个导电结构；步骤二、于所述基底上形成一覆盖所述基底和导电结构的第一SiN层；步骤三、于所述第一SiN层上方形成SiO₂层；步骤四、于所述SiO₂层上方形成第二SiN层；步骤五、于所述第二SiN层上方沉积形成一SiO₂的ILD层；步骤六、平坦化所述ILD层，并于所述ILD层表面形成ILD cap层；步骤七、所述ILD cap层从上而下依次包括有光刻胶层和抗反射涂层，于所述光刻胶层中刻蚀形成接触孔图案；步骤八、利用所述接触孔图案进行刻蚀，以将各导电结构及位于导电结构两侧的源/漏极予以外露。