[发明专利]一种光刻工艺热点的自动修复方法有效
申请号: | 201410714799.0 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104460226B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 王伟斌;朱忠华;魏芳;吕煜坤;朱骏;张旭昇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及DFM可制造图形设计领域,尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法,首先对版图进行光刻工艺友善性检查;之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记,并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域,最后对数据区域的版图进行修改,并通过检查工具套件对修改进行有效性判定,以提供一种合适的修复方案;该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证,实现了高程度的自动化要求,且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高,修复周期较短,一定程度上降低了时间成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 工艺 热点 自动 修复 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S1、提供一版图,并通过一检查工具套件对版图进行光刻工艺友善性检查;步骤S2、根据光刻工艺友善性检查的结果,判断版图中是否存在光刻工艺热点,若存在则进行步骤S3,否则结束修复;步骤S3、通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记,并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域;步骤S4、通过一修改工具套件对考量数据区域的版图进行修改,并通过检查工具套件对修改进行有效性判定;步骤S5、保留有效的版图的修复方案;其中,所述考量数据区域和所述模拟区域为位置标记的放大区域;所述考量数据区域的半径为b,所述模拟区域的半径为c,c>b,且c‑b>光学模型半径。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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