[发明专利]一种光刻工艺热点的自动修复方法有效

专利信息
申请号: 201410714799.0 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN104460226B 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 王伟斌;朱忠华;魏芳;吕煜坤;朱骏;张旭昇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/72 分类号: G03F1/72
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及DFM可制造图形设计领域,尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法,首先对版图进行光刻工艺友善性检查;之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记,并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域,最后对数据区域的版图进行修改,并通过检查工具套件对修改进行有效性判定,以提供一种合适的修复方案;该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证,实现了高程度的自动化要求,且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高,修复周期较短,一定程度上降低了时间成本。
搜索关键词: 一种 光刻 工艺 热点 自动 修复 方法
【主权项】:
1.一种光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S1、提供一版图,并通过一检查工具套件对版图进行光刻工艺友善性检查;步骤S2、根据光刻工艺友善性检查的结果,判断版图中是否存在光刻工艺热点,若存在则进行步骤S3,否则结束修复;步骤S3、通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记,并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域;步骤S4、通过一修改工具套件对考量数据区域的版图进行修改,并通过检查工具套件对修改进行有效性判定;步骤S5、保留有效的版图的修复方案;其中,所述考量数据区域和所述模拟区域为位置标记的放大区域;所述考量数据区域的半径为b,所述模拟区域的半径为c,c>b,且c‑b>光学模型半径。
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