[发明专利]一种NDC生长控制方法有效
申请号: | 201410714834.9 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104465366B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 龚丹莉;邵雄 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种NDC生长控制方法。在晶圆验收测试工程师给定探针卡最大扎针能力后,工程师可输入需确认的NDC生成厚度范围,通过回归分析在不发生空洞缺陷的情况下,晶圆验收测试时间的可用时间返回,同时工程师可通过提供的灵敏度分析法进行可靠性验证,根据提供的数据进行晶圆验收测试排货控制,既可避免制程缺陷,又提高了晶圆验收测试能力及工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 ndc 生长 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种NDC生长控制方法,其特征在于,包括:步骤S1,选定产品类型,所述产品上生长有所述NDC;步骤S2,根据所述NDC制程能力进行回归分析,所述回归分析的参数包括NDC生长厚度或晶圆验收测试的等待时间;步骤S3,根据所述回归分析给出的数据变化范围进行灵敏度分析,以确定所述NDC生长厚度的最优解;所述步骤S3中还包括:若给定一所述NDC的生长厚度范围,通过对位于该生长厚度范围的所述NDC的生长厚度进行灵敏度分析,确定在所述生长厚度范围内的所述NDC生长厚度的最优解;在进行步骤S1之前针对不同产品进行历史数据整合,然后针对不同产品进行NDC厚度与晶圆验收测试的等待时间建立拟合模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410714834.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:标签图案检测方法及检测设备
- 下一篇:一种基于用户的收视率修正方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造