[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体系统有效
| 申请号： | 201410717739.4 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104795108B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朴日光 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体芯片；穿通电极，其被形成为穿通半导体芯片；两个或更多个金属，其被形成在穿通电极的上部中；凸块，其被形成为接触金属的上部，并且将从外部输入的数据信号供应至金属；检测块，其适于通过将金属的电压电平相互进行比较并且产生判定信号来检测凸块是否与金属耦接；以及信号输出块，其适于向外部输出判定信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 半导体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体芯片；穿通电极，其被形成为穿过所述半导体芯片；两个或更多个金属，其被形成在所述穿通电极的上部中；凸块，其被形成为与所述金属的上部接触，并且将从外部源输入的数据信号供应至所述金属；检测块，其适于通过比较所述金属的电压电平并且产生判定信号来检测所述凸块是否与所述金属耦接；以及信号输出块，其适于向外部输出所述判定信号。
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