[发明专利]非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置有效
| 申请号： | 201410717769.5 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104733046B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 南尚完 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩芳;尹淑梅<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置。一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法包括下述步骤：接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 擦除 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法，该方法包括下述步骤：/n在非易失性存储装置中接收擦除命令；/n响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；/n在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作，/n其中，在擦除确认操作期间施加到选择晶体管的擦除确认合格电压小于在读取操作期间施加到选择晶体管的读取合格电压。/n
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