[发明专利]一种提高类金刚石薄膜sp3碳原子杂化键含量的方法无效
| 申请号： | 201410718601.6 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104451541A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;张锋;季一勤;刘华松;庄克文;冷健;杨明 | 申请（专利权）人： | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘东升;张宏亮 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种提高离子束溅射法制备的类金刚石(DLC)薄膜中sp3碳原子杂化键含量工艺方法，属于红外硬质保护薄膜改性技术研究。本发明通过调节离子源束压，改变由靶材溅射出的碳原子的能量与数量，从而改变DLC薄膜中sp3碳原子杂化键含量，实验表明：通过降低离子源束压，可以明显提高DLC薄膜中sp3碳原子杂化键含量。本方法简单、实用、可操作性强、且对离子束溅射法制备高性能的DLC薄膜有广泛的指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金刚石 薄膜 sp sup 原子 杂化键 含量 方法 | ||
【主权项】：
一种提高类金刚石薄膜sp3碳原子杂化键含量的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：镀膜之前先对镀膜基片进行清洗；步骤二：镀制DLC薄膜；在镀膜过程中，预溅射时的离子源束压控制在500V‑1000V，预溅射后的离子源束压控制在600‑1200V。
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