[发明专利]磁记录介质的制造方法在审
申请号: | 201410720604.3 | 申请日: | 2014-12-02 |
公开(公告)号: | CN105280200A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 渡部彰;木村香里;岩崎刚之 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的实施方式提供能够得到基板与粒子之间的良好密合性的磁记录介质的制造方法。实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括:在基板上形成熔敷层,在熔敷层上形成含有硅的保持层,使用含有能够与熔敷层熔敷的金属的粒子在保持层上形成单粒子层,使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对保持层中的二氧化硅进行蚀刻,将粒子埋入保持层内直到与熔敷层接触,通过加热使粒子与熔敷层熔敷,以及在单粒子层上形成磁记录层。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种磁记录介质的制造方法,其特征在于,具备:在基板上形成含有第1金属的熔敷层的工序;在该熔敷层上形成含有硅的保持层的工序;使用含有能够与该熔敷层熔敷的第2金属的粒子,在该保持层上形成单粒子层的工序;与所述粒子接触的区域的所述保持层受到所述第2金属的催化剂作用发生氧化反应由此形成二氧化硅,使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对所述二氧化硅进行蚀刻,将所述粒子埋入该保持层内直到与所述熔敷层接触的工序;通过加热使所述粒子和所述熔敷层熔敷的工序;以及在所述单粒子层上形成磁记录层的工序。
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