[发明专利]一种提高外延晶体质量的外延生长方法

摘要

本发明提供一种提高外延晶体质量的外延生长方法，能有效提升LED外延的晶体质量。该外延生长方法包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一缓冲层；2)高温生长第一U-GaN层,生长厚度应保证第一U-GaN层未完全覆盖PSS图形，即有PSS尖部高出第一U-GaN层表面；3)在NH₃环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二缓冲层；4)高温生长第二U-GaN层,生长厚度应保证第二U-GaN层完全覆盖PSS图形；5)依次生长掺杂SiH₄的n-GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层，最后在氮气氛围下退火。

主权项

一种提高外延晶体质量的外延生长方法，包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一缓冲层；2)高温生长第一U‑GaN层,生长厚度应保证第一U‑GaN层未完全覆盖PSS图形，即有PSS尖部高出第一U‑GaN层表面；3)在NH₃环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二缓冲层；4)高温生长第二U‑GaN层,生长厚度应保证第二U‑GaN层完全覆盖PSS图形；5)依次生长掺杂SiH₄的n‑GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层，最后在氮气氛围下退火。