[发明专利]一种片上RAM内建自测试方法及电路

摘要

本发明公开一种片上RAM内建自测试方法及电路，上述方法包括以下步骤：配置测试的起始地址；从起始地址开始，对预定范围内的各地址进行下述操作：按照地址升序，进行写0操作；按照地址降序，进行两次读0操作及两次写1操作；按照地址升序，进行读1操作、写0操作、读0操作及写1操作；进行两次写1操作及两次读0操作；进行读0操作、写1操作、读1操作及写0操作；进行读0操作；在上述操作过程中，当某个测试地址的读出数据与期望数据不一致时，则判断测试地址发生故障，待测试完成后，输出错误标志和发生故障的测试地址。本发明公开的片上RAM内建自测试方法及电路，能够解决现有技术中对单一单元的静态故障不能实现全面检测的问题。

主权项

一种片上随机存取存储器(RAM)内建自测试方法，其特征在于，包括以下步骤：配置测试的起始地址；从所述起始地址开始，对预定范围内的各地址进行下述操作：按照地址升序，进行写0操作；按照地址降序，进行两次读0操作及两次写1操作；按照地址升序，进行读1操作、写0操作、读0操作及写1操作；按照地址升序，进行两次写1操作及两次读0操作；按照地址升序，进行读0操作、写1操作、读1操作及写0操作；按照地址升序，进行读0操作；在上述操作过程中，当某个测试地址的读出数据与期望数据不一致时，则判断所述测试地址发生故障，待测试完成后，输出错误标志和发生故障的测试地址。