[发明专利]一种碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法在审
| 申请号： | 201410724610.6 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105717148A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 孙希鹏;杜永超;梁存宝;铁剑锐;王鑫 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法。本发明属于光谱分析技术领域。碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法，工艺步骤：(1)利用热解外延法在碳化硅的硅面生长出具有厚度层数的石墨烯样品；(2)利用X射线光电子能谱对样品进行测量；(3)利用扫描到的XPS能谱，计算284.5eV处C-C键中的C1s电子的衍射光子积分强度，以及282.9eV处Si-C键中的C1s电子的衍射光子积分强度；(4)将衍射光子积分强度带入到衍射光子积分强度与石墨烯厚度的函数关系式中，求出样品的石墨烯厚度；(5)将石墨烯厚度与石墨烯的原子层间距作比，得到样品石墨烯的层数。本发明具有快速、准确测量，无需将石墨烯从基底上剥离，无损测量，方便器件加工和性能测试等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 基底 石墨 层数 测量方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法，其特征是：碳化硅基底上的石墨烯的层数测量过程包括以下工艺步骤：(1)利用热解外延法在碳化硅的硅面生长出具有厚度层数的石墨烯样品；(2)利用X射线光电子能谱对样品进行测量，扫描范围为280eV至290eV，选取不同的光子衍射接收角θ，记录下不同θ值所对应的XPS能谱；(3)利用扫描到的XPS能谱，计算284.5eV处C‑C键中的C1s电子的衍射光子积分强度，以及282.9eV处Si‑C键中的C1s电子的衍射光子积分强度；(4)将计算得到的衍射光子积分强度带入到衍射光子积分强度与石墨烯厚度的函数关系式中，利用不同衍射角下的数据进行线形拟合，求出样品的石墨烯厚度；(5)将计算得到的石墨烯厚度与石墨烯的原子层间距作比，得到样品石墨烯的层数。
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