[发明专利]一种半导体薄膜型的热电器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410728507.9 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104409621A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 肖忠良;周清清;李仙清;卢意鹏;胡超明;吴道新;曹忠;曾巨澜 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/12 | 分类号： | H01L35/12;H01L35/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 410004 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体薄膜型的热电器件及其制备方法，其中，该热电器件包括：上层柔性绝缘基片、下层柔性绝缘基片、M个热电单元、下层导电膜和M-1个第一绝缘层；M个热电单元，置于上层柔性绝缘基片和下层柔性绝缘基片的中间，且M个热电单元通过下层导电膜相串联，一个第一绝缘层置于两个热电单元之间，M-1个第一绝缘层置于M个热电单元之间；每个热电单元包括P型半导体薄膜热电元件、N型半导体薄膜热电元件、上层导电膜和第二绝缘层，P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件通过上层导电膜相连通，且第二绝缘层位于P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件中间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 热电器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体薄膜型的热电器件，其特征在于，包括：上层柔性绝缘基片、下层柔性绝缘基片、M个热电单元、下层导电膜和M‑1个第一绝缘层，所述M为整数；其中，所述M个热电单元，置于所述上层柔性绝缘基片和下层柔性绝缘基片的中间，且M个热电单元通过下层导电膜相串联，一个第一绝缘层置于两个热电单元之间，M‑1个第一绝缘层置于所述M个热电单元之间；每个热电单元包括P型半导体薄膜热电元件、N型半导体薄膜热电元件、上层导电膜和第二绝缘层，所述P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件通过所述上层导电膜相连通，且所述第二绝缘层位于所述P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件中间。
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