[发明专利]一种磁控溅射制备纳米多孔金属薄膜的方法在审
| 申请号： | 201410737555.4 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104451547A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李晓军;刘颖;赵修臣;褚卫国;江鹏;宋志伟 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备纳米多孔金属薄膜的方法，通过磁控溅射工艺制备。本发明的方法制作工艺简单，并可以常温下制备出纳米多孔金属薄膜；所制备的多孔金属薄膜具有超薄、比表面积大、活性高、膜层均匀、易于微器件集成等特点，可以应用于催化、新能源领域，并可以直接作为超级电容器材料制备微型电容电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 制备 纳米 多孔 金属 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备纳米多孔金属薄膜的方法，其特征在于，通过磁控溅射工艺制备。
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