[发明专利]基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置有效
| 申请号： | 201410742541.1 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104734649A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 芯视达系统公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 开曼群岛可里克特广场*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种半导体图像处理电路领域的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置，包括：斜坡发生单元、增益相关模式控制单元以及若干个列比较单元，增益相关模式控制单元输出开关切换信号至各个列比较单元，增益相关模式控制单元另外输出时钟频率调整信息和/或电压偏置强度信息至斜坡发生单元，斜坡发生单元向列比较单元输出斜坡信号。本发明采用低压数字MOS管代替高压模拟MOS管为比较器的基本单元，用增益相关的电荷共享方式来映像高电压范围到低电压范围，从而实现非常小的噪声性能的折衷的方法，增益相关的电路模式控制方法，提高电路性能的同时实现显著减小版图面积的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电压 数字 cmos 器件 并行 比较 装置 | ||
【主权项】：
一种基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置，其特征在于，包括：一个斜坡发生单元、一个增益相关模式控制单元以及若干个列比较单元，其中：增益相关模式控制单元输出开关切换信号至各个列比较单元，增益相关模式控制单元另外输出时钟频率调整信息和/或电压偏置强度信息至斜坡发生单元，斜坡发生单元向列比较单元输出斜坡信号。
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