[发明专利]制备FinFET器件的方法有效
| 申请号： | 201410747457.9 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105742181B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种制备FinFET器件的方法，通过在鳍状结构上制备外延应力结构后，沉积氧化石墨烯层以填充相邻鳍状介质之间的孔隙，由于氧化石墨烯具有良好的填充能力，其能够有效的降低上述孔隙的深宽比，从而避免了由于填充能力不足造成在制备FinFET器件时，鳍状结构之间形成孔洞的缺陷，进而提高器件性能及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 finfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一设置若干鳍状结构的半导体衬底，且每个所述鳍状结构上均设置有源/漏区及包括样本栅的堆叠结构；于所述源/漏区外延生长应力结构后，以在相邻的鳍状结构间形成高深宽比的孔隙；制备氧化石墨烯层填充所述孔隙后，去除所述样本栅堆叠结构中的样本栅；所述氧化石墨烯层填充所述孔隙并覆盖所述应力结构的表面，所述方法还包括：沉积层间介质层覆盖所述氧化石墨烯层的表面后，去除所述样本栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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