[发明专利]一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法在审
| 申请号： | 201410752127.9 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104388904A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郑晓航;尧健;冯毅伟;隋解和;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，本发明涉及薄膜的制备方法。本发明要解决现有Ti-Ta合金薄膜单靶溅射工序复杂、效率低的问题。方法：取Ta靶及对Ti靶进行扇形镂空处理，将Ta靶置于镂空处理后的Ti靶底部，得到复合靶材，将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，然后抽真空，通入氩气，利用直流磁控溅射，以复合靶材作为阴极进行沉积，即得到Ti-Ta高温记忆合金薄膜。本发明用于一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 制备 ti ta 高温 记忆 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种高效制备Ti‑Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于一种高效制备Ti‑Ta高温记忆合金薄膜的方法是按以下步骤完成的：一、首先对Ti靶进行扇形镂空处理，得到镂空处理后的Ti靶，再将Ta靶置于镂空处理后的Ti靶底部，得到复合靶材；所述的复合靶材中Ti的原子分数为70％～90％；二、将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，且衬底与复合靶材相向而置，衬底与复合靶材之间的距离为60mm～80mm；三、抽真空，当真空腔的真空度达到1.5×10‑4～3×10‑5Pa后，通入氩气至压强为0.1Pa～0.15Pa；四、利用直流磁控溅射，并调节溅射功率为100W～200W，以复合靶材作为阴极进行沉积0.5h～2h，即得到Ti‑Ta高温记忆合金薄膜。
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