[发明专利]一种多晶硅还原炉用变流变压器

摘要

一种多晶硅还原炉用变流变压器，包括高压侧绕组和低压侧绕组：所述高压侧绕组轴向分裂成两个各相结构相同的绕组，分裂后的高压绕组并联共用1个无励磁调压开关，实现对高压绕组同时调压；高压绕组每相并联后在变压器内部采用三角形接法；所述低压侧绕组与分裂后的高压侧绕组对应，低压绕组之间绝缘，低压绕组头尾全部引出，每相独立运行，没有电气上的联系；两组低压绕组结构相同，包括5个串联分接绕组，每个分接绕组独立单相运行，其输出的单相电压、电流、阻抗各不相同。该一种多晶硅还原炉用变流变压器，每台变压器可带两个负载，实现两台变压器才能实现的功能，不仅提高了运行的可靠性和稳定性，而且减少了变压器用量及占用空间，节约成本。

主权项

一种多晶硅还原炉用变流变压器，包括高压侧绕组和低压侧绕组，其特征在于：所述高压侧绕组轴向分裂成两个绕组：高压绕组L11和高压绕组L12，高压绕组L11和高压绕组L12各相结构相同，各相均轴向分裂成两个绕组，即：A相分为L11a和L12a ，B相分为L11b 和L12b，C相分为 L11c L12c；分裂后的高压绕组L11与高压绕组L12并联共用1个无励磁调压开关3，实现对高压绕组L11和高压绕组L12同时调压；高压绕组每相并联后在变压器内部采用三角形接法；所述低压侧绕组与分裂后的高压侧绕组对应，包括低压绕组L21和低压绕组L22，即：低压绕组L21与高压绕组L11对应，低压绕组L22与高压绕组L12对应；所述低压绕组L21和低压绕组L22之间绝缘，低压绕组头尾全部引出，每相独立运行，没有电气上的联系；所述低压绕组L21和低压绕组L22结构相同，包括5个串联分接绕组，即：低压绕组L21包括5个串联分接绕组：L211、L212、L213、L214和L215，每个分接绕组独立单相运行，其输出的单相电压、电流、阻抗各不相同；低压绕组L22包括5个串联分接绕组：L221、L222、L223、 L224和L225，每个分接绕组独立单相运行，其输出的单相电压、电流、阻抗各不相同。