[发明专利]用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模有效
| 申请号： | 201410756796.3 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701143B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 潘兴强;谢静华;许宏辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模。通过形成具有不同密度的两个或多个硬掩模的层形成鲁棒金属化剖面。多层金属硬掩模在例如50nm及以下的小部件尺寸工艺中尤其有用。下层具有较高密度。通过这种方式，由下层提供足够的工艺窗口并且同时，由上层提供圆形硬掩模剖面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属化 剖面 双层 硬掩模 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)结构，包括：衬底；介电层，位于所述衬底的上方；具有第一密度的第一硬掩模层，位于所述介电层的上方；具有第二密度的第二硬掩模层，位于所述第一硬掩模层上；以及开口，延伸穿过所述第一硬掩模层、所述第二硬掩模层和所述介电层；以及导电材料，填充在所述开口中，其中，所述第二硬掩模层的所述第二密度小于所述第一硬掩模层的所述第一密度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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