[发明专利]磁性非对称型柱或核球的植球治具及植球方法有效
申请号: | 201410757801.2 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN104485300B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 陈南南;王宏杰 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/48 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅,刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种磁性非对称型柱或核球的植球治具及植球方法,其特征是包括托盘和吸头,托盘的上部和吸头下部分别呈开口状,托盘的下部和吸头的上部分别设置抽真空口,在托盘内固定下模,在吸头内固定上模;在所述下模和托盘的下部之间形成第一真空腔,在上模和吸头的上部之间形成第二真空腔,第一真空腔和第二真空腔分别与抽真空口连通,抽真空口分别连接真空装置;在所述下模上表面设置第一BGA点阵孔,在上模下表面设置第二BGA点阵孔,第一BGA点阵孔与第一真空腔连通,第二BGA点阵孔与第二真空腔连通,第一BGA点阵孔与第二BGA点阵孔呈上下映射;所述托盘与振动装置连接,托盘和吸头一侧分别设置电磁装置。本发明实现了非对称型柱或核球的植球,锡球或锡柱在高度方向达到使用需求,有效减小植球间距。 | ||
搜索关键词: | 磁性 对称 植球治具 方法 | ||
【主权项】:
一种磁性非对称型柱或核球的植球方法,其特征是,磁性非对称型柱或核球的植球治具,包括托盘(1)和吸头(2),托盘(1)的上部和吸头(2)下部分别设置腔体,托盘(1)的下部和吸头(2)的上部分别设置抽真空口(5),在托盘(1)内固定下模(3),在吸头(2)内固定上模(4);在所述下模(3)和托盘(1)的下部之间形成第一真空腔(6),在上模(4)和吸头(2)的上部之间形成第二真空腔(7),第一真空腔(6)和第二真空腔(7)分别与抽真空口(5)连通,抽真空口(5)分别连接真空装置;在所述下模(3)上表面设置第一BGA点阵孔(8),在上模(4)下表面设置第二BGA点阵孔(9),第一BGA点阵孔(8)与第一真空腔(6)连通,第二BGA点阵孔(9)与第二真空腔(7)连通,第一BGA点阵孔(8)与第二BGA点阵孔(9)呈上下映射;所述托盘(1)与振动装置连接,托盘(1)和吸头(2)一侧分别设置电磁装置;在所述下模(3)的上表面加工定位点或定位标识,在上模(4)的下表面设置与定位点或定位标识相配合的定位识别装置;磁性非对称型柱或核球的植球方法,包括以下步骤:步骤一、将铜核锡球倒入托盘(1)中,在振动装置的振动和电磁装置的作用下,使铜核锡球分布于第一BGA点阵孔(8)中;步骤二、启动托盘(1)一侧的真空装置,对第一真空腔(6)进行抽真空,使得铜核锡球固定在第一BGA点阵孔(8)中,再将多余的铜核锡球倒出托盘(1);步骤三、吸头(2)移动至托盘(1)的上方,通过上模(4)上的第二BGA点阵孔(8)与铜核锡球一一对应和定位;启动吸头(2)一侧的真空装置和电磁装置,将铜核锡球吸附到上模(4)上,再由吸头(2)携带铜核锡球转移下一工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410757801.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造